第一八二七章 猶豫不決

EUV光刻機的技術難點主要包括三大方面：曝光工具、掩膜和光刻膠，其中曝光工具包括EUV光源和光學系統；掩膜類似膠片相機的底片。

EUV光源透過掩膜，形成圖案化的EUV光線，然後落到晶圓上；晶圓上塗有稱為光刻膠的光敏化學物質，光刻膠遇到EUV會起化學反應，可以用來蝕刻晶圓。

在曝光工具反面，ASET需要開發的不僅僅包括光源和光學系統，也包括其他很重要的部分，比如晶圓和掩膜的機械對準技術，它需要在0.5nm的誤差範圍內，對準晶圓和掩膜。

面對第一階段艱難的專案程式，ASET選擇將有限的資源集中在光學系統方面，但是對於專案最難的部分EUV光源，ASET決定將這部分外包給了一個2001年新成立的研究組織：極紫外光刻系統開發協會（EUVA）。

在第一階段，ASET還專門研究了EUV光刻膠，EUV光刻膠的主要難點與EUV光的高吸收性有關，對於傳統的光刻膠，EUV光只能深入光刻膠層約700埃（10埃等於1nm），這低於EUV實際應用的要求；所以傳統的光刻膠是沒法用的，因此ASET必須開發一種新的光刻膠。

第一階段的掩膜研究也很難，掩膜類似底片，上面包含了晶片設計圖案，ASET需要開發新的掩膜製造技術，來保證能生產無缺陷的EUV光刻掩膜，而且除了掩膜的生產，掩膜的缺陷檢測也是一項難度很大的研究課題，需要使用EUV光本身來進行檢測，這在光刻機領域有個專門的術語叫做光化。

日本通商產業省決定為這一課題專門成立了下一代半導體曝光工藝基礎技術開發（MIRAI）的研究機構。

EUV光刻技術是一個典型的跨學科多領域的技術綜合體，單獨的研究機構幾乎不可能全部掌握這項技術。

由於這個專案的難度很大，整個專案一直在延期，到了2005年，MIRAI已經研究出了能夠檢測因空白缺陷而散射的EUV光化檢測工具，但是曝光工具部分還在研究過程中，這一部分的工作落在了尼康和佳能身上。

由於專案嚴重延期，所以日本經濟產業省（原日本通商產業省2001年更名）決定更改專案計劃，計劃5年後的2010年實現EUV光刻技術的商業化，並達到28nm工藝製程，但是，要想實現EUV光刻機的商業化，佳能和尼康就必須在2008年或2009年之前完成EUV試驗樣機的研製，否則這個目標根本就不可能實現。

從2001到2004年，尼康公司與ASET合作，製作出了小型EUV光刻實驗工具HiNA3。

2004年6月17日，BSEC突然公開宣佈，全球第一臺65nm製程的浸沒式光刻機TWINSCANNXT:2250i被研發成功！

2250i的問世不僅成為全球光刻機行業劃時代的重要事件，也對全球半導體行業的發展承前啟後。

BSEC首次成為全球光刻機行業發展的領導者！

尼康公司如夢初醒，急忙停止EUV的研究，集中全部力量研發65nm製程的乾式光刻機NSR-S308F。

這些年，尼康公司在EUV光源和光學系統上投資了7億多美元，雖然沒有研發成功EUV光源發生器，但研發成功了157nm鐳射器，藉助於ASET的資源，5個月不到就研發成功NSR-S308F，發現製程達不到65nm，又集中精力研發成功偏振照明系統Polano，彌補了157nm波長的缺陷；不到一年，全球第一臺45nm製程的DSP-100乾式光刻機橫空出世。

厚積薄發！

尼康公司又奪回全球光刻機行業的老大位置！

日本經濟產業大臣甘立明代表日本政府親自到尼康公司祝賀，獎勵2000萬美元。

尼康公司管理層、技術團隊和普通員工喜笑顏開，幹勁十足。

日本半導體行業歡欣鼓舞，決定聯合投資2350億日元（20億美元），在東京都千代田區建設全球第一條45nm製程工藝的半導體生產線。